Wielki sukces Chin na rynku superkomputerów
20 czerwca 2016, 11:13Nowy chiński superkomputer, Sunway TaihuLight, znalazł się na czele najnowszej listy TOP500. Wydajność maszyny w teście Linpack wyniosła 93 petaflopsy, jest więc trzykrotnie większa od dotychczasowego lidera, również chińskiego Tianhe-2. Jednak tym, o czym należy przede wszystkim wspomnieć, jest fakt, że Sunway TaihuLight to w pełni chińska konstrukcja
Źródło dużych grup fotonów – pierwszy fotonowy "scalak"
9 lutego 2017, 11:15Holograficzna pamięć atomowa, wymyślona i skonstruowana przez fizyków z Wydziału Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego, jest pierwszym urządzeniem zdolnym na żądanie generować pojedyncze fotony w grupach liczących po kilkadziesiąt i więcej sztuk.
Kolejny pomysł na RAM przyszłości
22 kwietnia 2010, 11:38Zespół naukowców z Francji, Niemiec i USA opracował nowy sposób na nieulotne przechowywanie danych. Metodę nazwali magnetyczną pamięcią wirową kontrolowaną częstotliwością.
Elpida wyprodukowała ReRAM
25 stycznia 2012, 09:39Elpida poinformowała o wyprodukowaniu pierwszego własnego prototypu pamięci ReRAM. Kość wykonano w technologii 50 nanometrów, a jej pojemność wynosi 64 megabity.
Przełączanie grafenu
25 sierpnia 2008, 12:14Niemiecka firma AMO, we współpracy z brytyjskimi naukowcami z University of Manchester, stworzyła grafenowy przełącznik.
FeRAM bliżej upowszechnienia
21 kwietnia 2009, 15:39Amerykańscy naukowcy dokonali ważnego kroku na drodze do opracowania wydajnych, wytrzymałych, nieulotnych pamięci RAM. Rozpowszechnienie się tanich kości tego typu pozwoliłoby np. na błyskawiczne uruchomienie komputera czy rezygnację z tradycyjnego dysku twardego, gdyż dane przechowywane byłyby w układach pamięci.
Początek produkcji pamięci zmiennofazowych
22 września 2009, 13:45Samsung rozpoczął produkcję zmiennofazowych pamięci RAM (PRAM). Układy o pojemności 512 megabitów przeznaczone są dla telefonów komórkowych i innych niewielkich urządzeń zasilanych bateriami.
Superwytrzymałe ReRAM Samsunga
20 lipca 2011, 15:54Koreańczycy z Samsung Advanced Institute of Technology poinformowali o stworzeniu nieulotnych pamięci ReRAM (Resistance RAM), które wytrzymują biliard cykli zapisu/odczytu, a czas przełączania wynosi w nich jedynie 10 nanosekund, czyli jest około miliona razy krótszy niż we współczesnych pamięciach flash
Używanie smartfonów poprawia zdolności pamięciowe
11 sierpnia 2022, 09:29W Journal of Experimental Psychology: General opublikowano wyniki badań, z których dowiadujemy się, że używanie urządzeń elektronicznych, takich jak smartfony, pomaga poprawić nasze zdolności pamięciowe. Z badań przeprowadzonych przez naukowców z University College London (UCL) wynika, że na urządzeniach przechowujemy bardzo ważne informacje, to zaś zwalnia naszą pamięć i ułatwia przywoływanie dodatkowych, mniej ważnych informacji
Układ Samsunga dla hybrydowych dysków twardych
12 września 2006, 13:11Samsung Electronics stworzył nową kość dla hybrydowych dysków twardych (HHD - hybrid hard drive). W jednym układzie SoC (System-on-Chip - komputer jednoukładowy) producent zmieścił interfejs SATA wraz z technologią kolejkowania zadań (NCQ), kontroler dysku, kontroler pamięci SDRAM oraz OneNAND i kanał odczytu firmy Agere.
« poprzednia strona następna strona » 1 2 3 4 5 6 7 8 9 …
